Charge carriers in semiconductors: loose, confined, trapped

Ladingsdragers in halfgeleiders vormen de basis voor diverse belangrijke elektronische applicaties. De gemeenschappelijke eigenschap van ladingsdragers is dat ze alle een duidelijk responssignaal geven in het laagfrequente gebied van het elektromagnetisch spectrum. De mogelijkheid om ladingsdragers in dit zogeheten terahertz-frequentiebereik te onderzoeken maakt het dan ook mogelijk ze gedetailleerd te karakteriseren aan de hand van de verschillende spectrale handtekeningen in het terahertz-bereik. Teraherz-tijd-domein-spectroscopie (THz TDS) vormt een geheel optische en dus contactvrije methode om de frequentieafhankelijke geleidbaarheid van ladingsdragers te onderzoeken. Met deze techniek kunnen de dynamische processen van de dragers, zoals dragerrecombinatie in processen als trapping, op sub-picoseconde-tijdschaal worden vastgelegd. Ronald Ulbricht behandelt in zijn onderzoek de verschillende verschijningsvormen in bulk-halfgeleiders (synthetische diamant) en nanostructuren (silicium nanodraden, kwantum punten) van halfgeleidend materiaal met betrekking tot trapping van ladingsdragers, diffusie en kwantumopsluiting met THz-TDS.